[发明专利]显示装置及其制造方法、以及投影型显示装置无效
| 申请号： | 03800999.4 | 申请日： | 2003-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1554123A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 牧村真悟;桥本诚;大川善郎;和田智宏;片冈一典 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/20;H01L27/088;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种显示装置，无须依赖屏蔽结构能够增强像素晶体管其自身的光电阻；及其制造方法，其中用作像素晶体管的有源层的多晶硅薄膜(111)的平均晶粒尺寸被控制得相对较小，由此限制光漏电流。所述晶粒尺寸越小，则包括的晶体缺陷越多。光照射激发的载流子被缺陷能级快速地补充用以限制光漏电流的增加。另一方面，构成外围晶体管的多晶硅薄膜的平均晶粒尺寸被控制得相对较大。该晶粒尺寸越大，则载流子迁移率越高，并且因此外围晶体管的驱动能力越高。这是因为由于像素扫描和图像信号取样的需要外围晶体管要求比像素晶体管快的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 以及 投影 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，具有一衬底，一显示单元和一外围驱动单元一体形成在该衬底上，所述显示单元具有以矩阵方式设置的像素和一体形成的切换所述像素开或关的像素晶体管，所述驱动单元具有构成用于扫描一体形成的所述像素晶体管矩阵的驱动电路的外围晶体管，以及所述像素晶体管和外围晶体管都由通过经由栅极绝缘膜层叠多晶半导体薄膜和栅极电极而得到的薄膜晶体管组成，其中所述像素晶体管的半导体薄膜的平均晶粒尺寸和所述外围晶体管的半导体薄膜的平均晶粒尺寸不同。
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