[发明专利]半导体发光设备无效
| 申请号： | 03801071.2 | 申请日： | 2003-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1557026A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 中村孝夫;藤原伸介;松原秀树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种从输出表面发光的ZnSe发光设备，其具有包括自激活发光中心(SA)的n型ZnSe基板、形成在n型ZnSe基板上的激活层、和设置在输出表面相对面上并用于向输出表面反射光的Al层。发射的光可以有效利用，亮度高，并且易于调节白光发射设备的色度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 设备 | ||
【主权项】：
1、一种用于将光从其输出表面发射到外面的半导体发光设备，该设备包含包括自激发光再结合中心的第一导电型半导体基板、设置在所述第一导电型半导体基板上方的激活层、和设置在所述输出表面相对面上用于向所述输出表面侧反射光的Al层。
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