[发明专利]具有使用氟气的清洗装置的CVD设备以及在CVD设备中使用氟气的清洗方法

摘要

本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO₂或Si₃N₄，所述副产物在成膜步骤中附着并沉积在反应室内壁、电极等的表面上。此外，本发明的目的是提供一种清洗方法，其中排放的清洗气的量非常小，对于环境的影响如全球变暖也下降，以及降低了成本。将能量施加到氟化合物上使之反应，从而生成氟气组分和除了氟气组分之外的组分。此外，生成的氟气组分和除了氟气组分之外的组分相互分离，以分离和精炼所述氟气组分。在使用CVD设备对基底材料进行成膜处理之后，接着将分离和精炼的氟气组分转变成等离子体以除去附着所述反应室中的副产物。

主权项

1.一种具有清洗机构的CVD设备，所述CVD设备用于将反应气体输送到反应室中，然后在反应室中的基底材料的表面上形成沉积薄膜，所述CVD设备包括氟气生成装置，它包括：能量施加装置，它将能量施加给氟化合物使之发生反应，生成氟气组分和除了氟气组分之外的组分；以及氟气浓缩/分离精炼装置，它能分离由能量施加装置产生的氟气组分和除了氟气组分之外的组分，从而分离精炼出所述氟气组分，在使用CVD设备对所述基底材料进行成膜处理后，将由所述氟气生成装置分离精炼的氟气转变成等离子体，用以除去附着在所述反应室中的副产物。