[发明专利]CVD设备以及使用CVD设备清洗CVD设备的方法有效
| 申请号： | 03801404.1 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1579011A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 坂井克夫;大仓诚司;坂村正二;安部薰;村田等;和仁悦夫;龟田贤治;三井有规;大平丰;米村泰辅;関屋章 | 申请（专利权）人： | 财团法人地球环境产业技术研究机构;独立行政法人产业技术总合研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/31;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到反应室。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 设备 以及 使用 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将反应气供应到反应室，并在所述反应室中提供的基底材料表面上形成沉积薄膜的CVD设备，其中用来使废气循环到所述反应室的废气循环通道安装在废气通道上，所述废气通道可通过泵将气体从所述反应室内部排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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