[发明专利]利用接近晶片表面的多个入口和出口干燥半导体晶片表面的方法和设备有效
申请号: | 03801405.X | 申请日: | 2003-09-30 |
公开(公告)号: | CN1579005A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | 约翰·M·德拉芮奥;詹姆士·P·加西亚;卡尔·武德;麦克·拉夫金;弗利茨·雷德克;约翰·博伊德;阿夫辛·尼克宏 | 申请(专利权)人: | 拉姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了衬底制备系统的多个实施例中的一种,该系统包括具有头部表面的头部,其中该头部表面接近衬底表面。该系统还包括用于通过该头部向所述衬底表面输送第一流体的第一导管和用于通过该头部向所述衬底表面输送第二流体的第二导管,其中第二流体不同于第一流体。该系统还包括用于从所述衬底表面去除第一流体和第二流体的第三导管,其中第一导管、第二导管和第三导管基本上同时起作用。在另一个实施例中,提供了一种用于处理衬底的方法,该方法包括在衬底表面上产生流体弯液面并向该流体弯液面施加声能。该方法还包括在衬底表面上移动流体弯液面以处理衬底表面。 | ||
搜索关键词: | 利用 接近 晶片 表面 入口 出口 干燥 半导体 方法 设备 | ||
【主权项】:
1、一种衬底制备系统,包括:具有头部表面的头部,该头部表面被配置成在工作时接近衬底的表面;第一导管,用于通过所述头部向所述衬底表面输送第一流体;第二导管,用于通过所述头部向所述衬底表面输送第二流体,该第二导管不同于所述第一导管;以及第三导管,用于从所述衬底表面去除所述第一流体和所述第二流体,第一导管、第二导管和第三导管被配置为在工作时基本上同时起作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造