[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

申请号：	03801527.7	申请日：	2003-07-09
公开（公告）号：	CN1592950A	公开（公告）日：	2005-03-09
发明（设计）人：	楠本修;北畠真;高桥邦方;山下贤哉;宫永良子;内田正雄	申请（专利权）人：	松下电器产业株式会社
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	汪惠民
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	蓄积型MISFET具备：在上述SiC衬底(101)上以外延方式生长的高电阻SiC层(102)；阱区(103)；具有在阱区(103)的表面区域上形成的多重δ掺杂层的n型蓄积沟道层(104)；接触区(105)；栅绝缘膜(108)；以及栅电极(110)。蓄积沟道层(104)为交替地层叠了非掺杂层(104b)和能进行由量子效应引起的朝向非掺杂层(104b)的载流子的渗透的δ掺杂层(104a)的结构。此外，设置了侵入到蓄积沟道层(104)和接触区(105)内以便与接触区(105)直接接触的源电极(111)。由此，不需要由离子注入形成的源区，减少了制造成本。
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【主权项】：

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：衬底；有源区，它是由在上述衬底上设置的化合物半导体构成的有源区，并且，它是由交替地层叠至少1个第1半导体层和至少2个第2半导体层而构成的，其中，该第1半导体层起到载流子移动区的功能，该第2半导体层包含其浓度比上述第1半导体层的浓度高的载流子用杂质，而其膜厚比上述第1半导体层的膜厚薄；以及至少1个电极，其由从上述有源区的表面侵入到上述有源区内而至少与上述各第2半导体层接触的导体材料构成。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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