[发明专利]形成纳米晶的方法有效
| 申请号： | 03801606.0 | 申请日： | 2003-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1596459A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 拉杰什·A·雷奥;拉马钱德兰·穆拉利德哈;图沙尔·P·麦钱特 | 申请（专利权）人： | 自由度半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/12;H01L21/336;C23C16/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在半导体中形成纳米晶(20)，例如在具有浮栅的存储器中。电介质(18)覆盖衬底(12)，并被放置在化学气相沉积室中(34)。在第一阶段过程中第一前体气，例如乙硅烷(36)，被流动(26)至化学气相沉积室，从而在化学气相沉积室中存在第一预定处理条件的情况下在第一时间段内使纳米晶(20)在电介质上成核。第二前体气，例如硅烷，在第一阶段之后的第二阶段过程中被流动至化学气相沉积室，从而在化学气相沉积室中存在第二预定处理条件的情况下在第二时间段内生长纳米晶。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成纳米晶的方法(30)，该方法包括：提供(32)衬底(12)；形成覆盖衬底的电介质(18)；将衬底放置(34)在化学气相沉积室中；在第一阶段过程中流动(26)第一前体气至化学气相沉积室，从而在化学气相沉积室中存在第一预定条件的情况下在第一时间段内使纳米晶(20)在电介质上成核；结束第一前体气至化学气相沉积室的流动；和在第二阶段过程中流动(38)不同的第二前体气至化学气相沉积室，从而在化学气相沉积室中存在第二预定条件的情况下在第二时间段内生长纳米晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
