[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03801738.5 | 申请日： | 2003-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1602551A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 和田胜;近藤真一郎;安田亮一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 贾静环;宋莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有新颖结构的导电路径的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其中导电路径由有机半导体分子材料形成并显示出高的迁移率。由导体，如Au，或半导体组成的微粒(8)和有机半导体分子(9)如4，4′－联苯二硫酚通过在该有机半导体分子(9)两端上的官能团交替键合，形成网状的导电路径，其中在微粒(8)内的导电路径和在有机半导体分子(9)内的导电路径二维或三维地键合在一起。这种导电路径不包括分子间的电子迁移，迁移率不受分子间的电子迁移限制，因此，可最大利用沿有机半导体分子主链内的导电路径的迁移率(在该分子的轴向上)，例如离域π电子所致的高的分子内的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：由包括导体或半导体的微粒和键合到所述微粒上的有机半导体分子形成的导电路径，其中所述导电路径的导电率通过电场控制。
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