[发明专利]半导体模块的制造方法无效
| 申请号： | 03801783.0 | 申请日： | 2003-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1606710A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 川添健实;吉村功;金井塚唯人 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | G02B27/28 | 分类号： | G02B27/28;G02F1/09 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 经志强;潘培坤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体模块的制造方法，该半导体模块组装了用由高矫顽力膜的磁性柘榴石膜构成的法拉第转子的光隔离器，即使没有外磁场该磁性柘榴石膜也能维持磁饱和状态；在制造工序中，把上述磁性柘榴石膜暴露在100℃以上的温度下时，在与该磁性柘榴石膜的磁化方向相同的方向上施加外磁场。按照该制造方法，具有即使制造过程中存在加热工序，也不会解除作为高矫顽力膜的磁性柘榴石膜的磁饱和状态的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体模块的制造方法，该半导体模块组装有使用了由即使没有外部磁场也能维持磁饱和状态的磁性柘榴石膜构成的法拉第转子的光隔离器；其特征在于，在制造工序中，把所述磁性柘榴石膜暴露在100℃或100℃以上的温度时，在与该磁性柘榴石膜的磁化方向相同的方向上施加外部磁场。
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