[发明专利]半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 03801821.7 | 申请日： | 2003-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1610995A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 佐藤典文;今西大介 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光输出效率高的半导体激光器元件，具有电流限制效率高、泄漏电流小、且温度特性良好，呈现低阈值电流，能够有效地将激光束限制在条形区内，且具有良好的光束轮廓。此半导体激光器元件(100)具有叠层结构，此叠层结构包含n－AlInP包层(103)、超晶格有源层(104)、p－AlInP第一包层(105)、GaInP腐蚀停止层(106)、以及形成在各层上且加工成条形脊形式的p－AlInP第二包层(107)、GaInP保护层(108)、p－GaAs接触层(109)。p侧电极(111)形成并直接覆盖在脊的顶部表面、脊侧面、以及脊侧面上的腐蚀停止层上。由n－AlInP包层和p－AlInP第一包层将超晶格有源层夹在之间，能够提高与有源层的能带隙差别。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，其特征在于包含：在第一导电类型半导体衬底上，依次具有至少具有第一导电类型的AlInP包层、AlGaInP基超晶格有源层部分、以及第二导电类型AlInP包层的叠层结构；以及电流限制结构，借助于将叠层结构中由第二导电类型化合物半导体层制成的上部形成为条形脊而构成；其中，由金属膜制成的第二导电侧上的电极延伸在脊顶部表面、脊侧面、以及脊侧翼的第二导电类型AlInP包层上，且直接覆盖脊顶部表面、脊侧面、以及脊侧翼的第二导电类型AlInP包层；且脊顶部表面的第二导电类型化合物半导体层的载流子浓度高于第二导电类型AlInP包层的载流子浓度。
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