[发明专利]降低聚合物存储器中写干扰的影响无效
| 申请号： | 03802001.7 | 申请日： | 2003-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1628356A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | R·库尔森;J·吕克;R·法伯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过在读取之后以一种抵消对于与寻址位相关的位线中比特的极性的任何影响的方式写回数据，可降低在聚合物存储器中出现的写干扰。例如，每次写回数据时，它的极性可以交替改变。在另一个实施例中，可随机改变极性。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 聚合物 存储器 干扰 影响 | ||
【主权项】：
1.一种从聚合物存储器中读取数据的方法，包括：从聚合物存储器中读取数据；在读取所述数据之后，把所述数据写回到所述存储器；以及改变在读取所述数据之后写回的所述数据的极性。
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