[发明专利]制造电容器之方法有效
申请号: | 03802059.9 | 申请日: | 2003-01-10 |
公开(公告)号: | CN1613140A | 公开(公告)日: | 2005-05-04 |
发明(设计)人: | C·达赫尔;K·斯塔伦伯格;C·维伯茨 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L27/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 蔡民军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于制造电容器的方法,其包含具有一基材(210)的一原始结构,以及至少一介电层(224、226),其中该基材的一第一区域与一第二区域系藉由一隔离层(212、214、216)而分开。在该第一与第二区域上,一电性传导层(228)系配置于该至少一介电层(224、226)上。再者,一罩幕层(230)系沉积于该电性传导层上,其中该第一区域上的一罩幕层系被建构用于产生一第一罩幕(230)。该方法更包含藉由该第一罩幕,以蚀去该电性传导层(230)与该第二区域中的至少一介电层(226),以及完成该第二区域中的主动组件。 | ||
搜索关键词: | 制造 电容器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造电容器的方法,其包含:提供一原始结构,其具有一基材(210)与至少一介电层(224、226),其中该基材(210)之一第一区域与一第二区域系藉由一电性隔离结构而分开;配置一电性传导层(228)于该第一与第二区域上的该至少一介电层(224、226)之上;使用一罩幕层(230)于该电性传导层(228)上,且将其图案化用以形成一罩幕(230)于该第一区域上;藉由罩幕,蚀刻去除该电性传导层(228)与该第二区域中的该至少一介电层(226);以及完成该第二区域中的一主动组件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司,未经因芬尼昂技术股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03802059.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造