[发明专利]高纯度·超微粉SiOx粉及其制造方法有效
| 申请号： | 03802109.9 | 申请日： | 2003-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1615271A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 今村保男;野野垣良三 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;G02B1/10;H01L21/316;//C23C14/24;A23L3/00;H01L31/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯度·超微粉状的SiOx(x＝0.6－1.8)粉，该粉的比表面积在10m2/g以上，Na、Fe、Al、Cl的总量在10ppm以下。该SiOx粉可通过在压力10一1000kPa的非氧化性气氛中，于温度500－1000℃使甲硅烷气体和甲硅烷气体的氧化性气体反应而形成。此时，非氧化性气体的量多于甲硅烷气体和供给甲硅烷气体的氧化性气体的氧化反应的氧量的总量。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 超微粉 sio sub 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯度·超微粉状的SiOx粉，其特征在于，通式SiOx(x＝0.6-1.8)所示，比表面积在10m2/g以上，并且Na、Fe、Al及Cl的总含量在10ppm以下。
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