[发明专利]具改善阻障性质之阻障堆栈无效
| 申请号： | 03802254.0 | 申请日： | 2003-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1615538A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | N·纳格尔;K·伊梅;G·A·贝特尔;A·希里格;B·－K·穆恩;K·亚马卡瓦 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明揭露一种改良型之阻障堆栈，其能够抑制原子或分子(如：氧)的扩散现象。该阻障堆栈特别有助于插塞结构上之电容器，以避免插塞氧化而对该结构的可靠度所产生之不利冲击。该阻障堆栈包含了具有不匹配之晶粒边界的第一与第二阻障层；该等阻障层系选自如：铱(Ir)、铑(Rh)、钌(Ru)、钯(Pd)、或其合金等。藉由提供该不匹配之晶粒边界，膜层间之界面将阻碍氧的扩散路径。而为了更进一步增强阻障性质，该第一阻障层系在氧使用下(如：快速热氧化处理)为惰性。该RTO在该第一阻障层之上表面形成一薄氧化层，该氧化层能够利于促使该第一与该第二阻障层之晶粒边界的不匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 阻障 性质 堆栈 | ||
【主权项】：
1.一种障堆栈，其包括：一第一阻障层；以及一第二阻障层，其中该第一与第二阻障层的该等晶粒边界系不匹配以增强该阻障堆栈的阻障特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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