[发明专利]化合物半导体叠层构造体、霍尔元件和霍尔元件的制造方法有效
| 申请号： | 03802291.5 | 申请日： | 2003-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1615551A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 渡边隆行;柴田佳彦;氏原刚志;吉田孝志;大山明彦 | 申请（专利权）人： | 旭化成电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/14;G01R33/07;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供化合物半导体叠层构造体、霍尔元件和霍尔元件的制造方法。可以稳定地提供电子迁移率和薄膜电阻高，并且温度特性优越的量子阱型化合物半导体的叠层体，因此，可以在工业上提供灵敏度高电力消耗低，并且温度特性也优越的霍尔元件。层叠由Al、Ga、In、As和P中至少2种元素和Sb构成的第1和第2化合物半导体层和InxGa1－xAsySb1－y (0.8≤x≤1.0，0.8≤y≤1.0)组成的化合物半导体的活性层，使第1和第2化合物半导体层中的每一个，与活性层比较，具有宽带隙和大于等于5倍的电阻值而进行成膜，将第1和第2化合物半导体层和活性层的晶格常数差都设定在0.0～1.2％的范围内，并将活性层的厚度设定在30～100nm的范围内，构成化合物半导体的叠层构造体。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 构造 霍尔 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体的叠层构造体，通过在基片上依次层叠第1化合物半导体层、活性层和第2化合物半导体层而形成，其特征在于：上述各个第1和第2化合物半导体层是由Al、Ga、In、As和P这5种元素中的至少2种元素和Sb构成的化合物半导体层；上述活性层是具有由InxGa1-xAsySb1-y(0.8≤x≤1.0，0.8≤y≤1.0)表示的组成的化合物半导体；上述各个第1和第2化合物半导体层，与上述活性层比较，具有宽的带隙和至少大于等于5倍的电阻值；将上述第1和第2化合物半导体层与上述活性层的晶格常数差都设定在0.0～1.2％的范围内；并且上述活性层具有比30nm厚比100nm薄的层厚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成电子株式会社，未经旭化成电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03802291.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
