[发明专利]存储器用反铁磁稳定伪自旋电子管有效
| 申请号： | 03802470.5 | 申请日： | 2003-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1777958A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 罗姆尼·R·凯蒂;乔尔·A·德鲁斯;托莫斯·J·沃格特 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/16;H01F10/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及提高磁随机存取存储器(MRAM)中的磁存储器单元的稳定性。本发明的实施例将反铁磁层增加到磁存储器单元。反铁磁层可以与MRAM中的软层相邻在软层的与MRAM的硬层相对的侧面上形成。一个实施例还包括在反铁磁层和软层之间的另外的非反铁磁材料的间层。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器用 反铁磁 稳定 自旋 电子管 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器MRAM中的反铁磁稳定伪自旋电子管ASPSV包括：铁磁材料的硬层；铁磁材料的软层；设置在硬层和软层之间的非铁磁材料的间隔层；以及与软层相邻设置的反铁磁层，其中所述反铁磁层还设置在软层的与硬层相对的侧面上。
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