[发明专利]介电层电容器的制造方法无效

申请号：	03802774.7	申请日：	2003-01-23
公开（公告）号：	CN1628369A	公开（公告）日：	2005-06-15
发明（设计）人：	K·戈尔勒	申请（专利权）人：	因芬尼昂技术股份公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	程天正;梁永
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	在一种于一第一介电层(20)中制造一电容器(92)的方法中，一凹陷(40)系被形成在该第一介电层(20)的一表面(22)中，而于该第一介电层(20)之该表面(22)上以及该凹陷(40)中，系形成有一第一导电层(60)，接着，于该第一导电层(60)上，一第二介电层(70)系加以形成，而且在该凹陷(40)中该第一导电层(60)之一厚度与该第二介电层(70)之一厚度的总和系小于该凹陷(40)的一深度，而一第二导电层(80)则是被形成于该第二介电层(70)上，最后，该电容器(92)系藉由平面化所形成之层结构而加以获得。
搜索关键词：	介电层电容器制造方法
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【主权项】：

1.一种在一第一介电层(20)中制造一电容器(92)的方法，该方法系包括下列步骤：在该第一介电层(20)的一表面(22)中形成一凹陷(40)；于该第一介电层(20)之该表面(22)上以及该凹陷(40)中产生一第一导电层(60)；于该第一导电层(60)上产生一第二介电层(70)，而在该凹陷(40)中该第一导电层(60)之一厚度以及该第二介电层(70)之一厚度的总和系小于该凹陷(40)的一深度；于该第二介电层(70)上产生一第二导电层(80)；以及平面化所形成之层结构，以获得该电容器(92)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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