[发明专利]在一个加工步骤中形成不同厚度的高质量氧化物层的方法有效
| 申请号： | 03802891.3 | 申请日： | 2003-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1625801A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | J·J·G·P·卢;Y·波诺马雷;R·T·F·沙克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/102 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在一个加工步骤中在第一和第二半导体区形成不同厚度的高质量氧化物层的方法。所述方法包括以下步骤：a)用不同的掺杂物浓度掺杂第一和所述第二半导体区；以及b)在同一加工步骤中同时氧化第一和第二半导体区，氧化温度在500℃和700℃之间，最好在500℃和650℃之间。还提供了相应的器件。利用低温氧化结合重掺杂级得到预想不到的氧化速率的增长。 | ||
| 搜索关键词： | 一个 加工 步骤 形成 不同 厚度 质量 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在一个加工步骤中在第一和第二半导体区域中形成不同厚度的高质量氧化物层的方法，所述方法包括以下步骤：用不同的掺杂物浓度掺杂所述第一和第二半导体区域；以及在同一加工步骤中同时氧化所述第一和第二半导体区，氧化温度在500℃和700℃之间，最好在500℃和650℃之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
