[发明专利]电子设备

摘要

本发明涉及一种配置有包括集成电路配置的电子元件的电子设备，所述集成电路配置包括半导体衬底、有源元件和诸如电容器和电阻器的无源元件。该电阻器包括高电阻率的材料，并且可以制作为具有位于窄公差范围之内的电阻值。所述电阻器包括选自下列中的材料：β－钽、Ta_xN_y (0≤x≤1，0≤y≤1)、Ta_1－x－ySi_xN_y (0≤x≤1，0≤y≤1)、Ta_1－x－yAl_xN_y (0≤x≤1，0≤y≤1)、Ni_xCr_y (0≤x≤1，0≤y≤1)、Ni_xCr_yAl_z (0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)、Ti_xW_y (0≤x≤1，0≤y≤1)、Ti_xW_yN_z (0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)、Ti_xN_y (0≤x≤1，0≤y≤1)以及Cu_xNi_y (0≤x≤1，0≤y≤1)。本发明进一步涉及发射机、接收机、电子元件、外围电路、电流源电路、滤波器模块和集成电路配置。

主权项

1.一种电子设备，配置有包括集成电路的电子元件，所述集成电路包括具有至少一个有源元件、位于所述半导体衬底上且电耦合到所述有源元件的至少一个电容器和至少一个电阻器的半导体衬底，其中电阻器包括选自下列中的材料：β-钽、TaxNy(0≤x≤1，0≤y≤1)、Ta1-x-ySixNy(0≤x≤1，0≤y≤1)、Ta1-x-yAlxNy(0≤x≤1，0≤y≤1)、NixCry(0≤x≤1，0≤y≤1)、NixCryAlz(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)、SixCryOz(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)、SixCryNz(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)、TixWy(0≤x≤1，0≤y≤1)、TixWyNz(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)、TixNy(0≤x≤1，0≤y≤1)以及CuxNiy(0≤x≤1，0≤y≤1)。