[发明专利]接触孔生产的监测无效
| 申请号： | 03803196.5 | 申请日： | 2003-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1628380A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·凯蒂塞维奇;艾维·西蒙 | 申请（专利权）人： | 应用材料以色列有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01R31/307 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 一种用于生产测试的方法，包括接受包含有半导体衬底以及衬底上形成有非导电层的晶片，随后蚀刻出穿过非导电层直至衬底的接触开口，接触开口包括在晶片上测试区域内预定测试图案中布置的接触开口阵列。指引电子束射击测试区域，测量对电子束起反应流过衬底的试样电流。对试样电流进行分析，以估计接触开口的蚀刻尺度。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 生产 监测 | ||
【主权项】：
1.一种生产测试图的方法，包括：接受一个晶片，该晶片包含有半导体衬底以及在衬底上形成的非导电层，随后蚀刻出穿过非导电层直至衬底的接触开口，接触开口中包含有在晶片测试区域内预定的测试图案中布置的接触开口阵列；指引一个电子束射击测试区域；测量出对电子束起反应而流过衬底的试样电流；以及分析试样电流大小，以估计接触开口的尺度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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