[发明专利]用于检查对带电粒子有反应的抗蚀剂的系统和方法无效
申请号: | 03803198.1 | 申请日: | 2003-01-27 |
公开(公告)号: | CN1628381A | 公开(公告)日: | 2005-06-15 |
发明(设计)人: | 班祖恩·森德尔;奥菲尔·卓尔;盖伊·艾坦 | 申请(专利权)人: | 应用材料以色列有限公司;应用材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01J37/28;G01B15/04;G01R31/305;G01R31/265;G01N23/22 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 以色列;IL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于扫描图形的设备和方法。本方法包括:(i)引导该带电粒子束,使之沿第一扫描路径与图形相互作用,和(ii)引导该带电粒子束,使之沿第二扫描路径与图形相互作用。图形作为与带电粒子束相互作用的结果,改变它的一种特性。第一与第二扫描路径之间的距离,可以大于带电电子束的直径。第一与第二扫描路径中的每一路径,可以包括许多相继的抽样,且第一与第二扫描路径之间的距离,可以大于相邻抽样之间的距离。扫描路径的位置,可以在测量中改变,并特别是在各测量期间之间改变。带电粒子束可以有椭圆形横截面。 | ||
搜索关键词: | 用于 检查 带电 粒子 反应 抗蚀剂 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用带电粒子束扫描图形的方法,本方法包括如下步骤:引导带电粒子束,使之沿第一扫描路径与图形相互作用,其中的图形作为与带电粒子束相互作用的结果,改变它的一种特性;和引导带电粒子束,使之沿第二扫描路径与图形相互作用,其中,第一扫描路径与第二扫描路径之间的距离,大于带电电子束的直径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料以色列有限公司;应用材料有限公司,未经应用材料以色列有限公司;应用材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03803198.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造