[发明专利]X射线检测器及X射线检测器的制造方法无效

专利信息
申请号: 03803322.4 申请日: 2003-02-10
公开(公告)号: CN1628254A 公开(公告)日: 2005-06-15
发明(设计)人: 本间克久;会田博之;伊藤健一;藤泽晶子;鬼桥浩志 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G01T1/20 分类号: G01T1/20
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 包于俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在具有设置在单位像素上的将X射线变换成光的闪烁层38、将在闪烁层38上变换成的光作为电荷贮存的贮存用电容器15、及将相邻单位像素的闪烁层38间分割的隔壁层39的X射线检测器中,闪烁层38含荧光材料I,隔壁层含光学特性和荧光材料IP1不同的第二种荧光体P2,而且第二种荧光体P2发出的荧光波长具有和荧光材料IP1发出的最短的荧光波长相等或比其长的成分。
搜索关键词: 射线 检测器 制造 方法
【主权项】:
1.一种X射线检测器,包括单位像素的光电变换单元、在所述光电变换单元的各像素上形成的闪烁像素、及所述闪烁像素间的隔壁,其特征在于,所述隔壁含有光学特性与所述闪烁像素内含的荧光材料I不同、而且具有与所述荧光材料I的最短荧光波长相等或比其长的最长荧光波长的荧光材料II。
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