[发明专利]半导体处理室中使用的物件及其制造方法无效
| 申请号： | 03803333.X | 申请日： | 2003-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1653587A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 篮契许·罗·林葛波里 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C4/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于半导体应用中的具有保护涂层的物件及其制造方法。在一个实施例中，涂覆用于半导体沉积处理室的物件的铝表面的方法，包括如下步骤：加热涂层材料至半液态，所述涂层材料包括氟化铝和氟化镁中的至少一种材料；在所述铝表面沉积经加热的涂覆材料。所述保护涂层具有小于大约10％的β相位颗粒取向，其能够很牢固地粘附到铝，且能抗断裂、抗破碎和抗剥落。一些较有助益的被涂覆物件包括喷淋头、阻挡板、支撑组件和真空处理室本体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 使用 物件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种涂覆半导体处理室中使用的物件的铝表面的方法，包括：加热防止氟和/或含氟化合物渗透的涂覆材料至半液体、半固体状态；以及将所述经加热的涂覆材料沉积于所述铝表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
