[发明专利]无电容单一晶体管动态随机存取存储器单元及制造方法

摘要

在一介电质填充沟渠(4)的侧壁上，垂直安置沟道区(11)与源极－漏极区(9、10)。在其对立侧，半导体材料由栅极介电质(18)和置于该半导体材料切口的栅电极(16)限定。一存储器单元阵列包括多个垂直定向的条带型半导体区，其中在其顶部与底部布植源极－漏极区，而嵌入四周绝缘材料中的沟道区则在二者之间，用作一浮体。

主权项

1.一种无电容单一晶体管动态随机存取存储器单元，其中在半导体材料中，一沟道区系安置在源极与漏极的掺杂区之间，该区系嵌在介电材料中，其方式使得无外加电位的情形下，该沟道区至少部分泛空电荷载体，以及一栅电极安置在该沟道区上，且系由一栅极介电质与后者隔离，其中一由介电材料(4)所构成的区域系在一半导体主体(1)或衬底的一顶侧上形成，该沟道区(11)则安置在介电材材料(4)构成该区域的一侧壁上，该源极-漏极区(9、10)在该顶侧垂直方向的两侧紧邻该沟道区(11)，该栅电极(16)系安置在该沟道区(11)远离介电材料(4)构成该区域的一侧上，且系由用作栅极介电质的一介电层(18)，将其与该沟道隔离，以及该栅电极(16)与一字线连接，而该半导体主体(1)或衬底的一上部源极-漏极区(10)则与一位线连接。