[发明专利]有机半导体结构物、其制造方法和有机半导体装置无效

专利信息
申请号: 03803554.5 申请日: 2003-02-07
公开(公告)号: CN1630948A 公开(公告)日: 2005-06-22
发明(设计)人: 半那纯一;前田博己;赤田正典 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L51/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 郭煜;庞立志
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供以大的面积形成均匀并且具有高的电荷移动特性的有机半导体层的有机半导体结构物、其制造方法以及有机半导体装置。本发明的有机半导体结构物,是在至少一部分上具有包括取向了的液晶性有机半导体材料的有机半导体层的有机半导体结构物,上述液晶性有机半导体材料包括下述有机化合物,该有机化合物具有包含L个6π电子系环、M个8π电子系环、N个10π电子系环、0个12π电子系环、P个14π电子系环、Q个16π电子系环、R个18π电子系环、S个20π电子系环、T个22π电子系环、U个24π电子系环、V个26π电子系环(其中,L、M、N、O、P、Q、R、S、T、U、V分别表示0-6的整数,L+M+N+O+P+Q+R+S+T+U+V=1-6)的芯,在热分解温度以下的温度具有至少一种液晶状态。
搜索关键词: 有机半导体 结构 制造 方法 装置
【主权项】:
1.一种有机半导体结构物,在至少一部分上具有包括取向了的液晶性有机半导体材料的有机半导体层,上述液晶性有机半导体材料包括下述有机化合物,该有机化合物具有包含L个6π电子系环、M个8π电子系环、N个10π电子系环、O个12π电子系环、P个14π电子系环、Q个16π电子系环、R个18π电子系环、S个20π电子系环、T个22π电子系环、U个24π电子系环、V个26π电子系环(其中,L、M、N、O、P、Q、R、S、T、U、V分别表示0-6的整数,L+M+N+O+P+Q+R+S+T+U+V=1-6)的芯,在热分解温度以下的温度具有至少一种液晶状态。
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