[发明专利]偏振分析方法无效
申请号: | 03803614.2 | 申请日: | 2003-02-10 |
公开(公告)号: | CN1630940A | 公开(公告)日: | 2005-06-22 |
发明(设计)人: | 菊池俊彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在氧化膜(301)的下层,形成有:由金属布线(302)和层间绝缘膜(303)构成的B层,和由在与金属布线(302)正交方向形成的金属布线(304)和层间绝缘膜(305)所构成的D层的多层布线。入射光中的s偏振光成分由B层界面反射,p偏振光成分由D层界面反射,计算各个振幅反射率Rs、Rp,计算作为s偏振光成分和p偏振光成分的振幅比ψ和相位差Δ的函数的tanψ和cosΔ,得到基准数据,基于该基准数据来求出氧化膜(301)的膜厚(tA)。由此,能够非破坏且高生产率地进行在多层布线上形成的膜的膜厚测量和截面形状测量。 | ||
搜索关键词: | 偏振 分析 方法 | ||
【主权项】:
1.一种偏振分析方法,在对表面上具有测量对象的膜的被测量物以规定入射角照射规定波长的椭圆偏振状态的入射光时,通过理论计算求出从所述被测量物反射的反射光的p偏振光成分和s偏振光成分的基于相位差(Δ)的值和基于振幅比(Ψ)的值,得到基准数据,同时,通过测量求出实际的对所述被测量物照射所述入射光时反射的反射光的p偏振光成分和s偏振光成分的基于相位差(Δ)的值和基于振幅比(Ψ)的值,通过与所述基准数据比较,进行所述膜的分析,其特征在于,在得到所述基准数据时,使得所述p偏振光成分的反射面和所述s偏振光成分的反射面不同来进行所述理论计算。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造