[发明专利]生产具有半导体或绝缘体的金属复合团簇的方法及装置无效
| 申请号： | 03804209.6 | 申请日： | 2003-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1636078A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 日原岳彦;隅山兼治;加藤亮二 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B01J3/00;C01B3/02 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过在第一溅射腔室10中溅射靶11U、11D产生半导体或绝缘体蒸气，同时通过在第二溅射腔室20中溅射靶21U、21D产生金属蒸气。在经过团簇成长管32移动和作为团簇流注射至高沉积腔室30的过程中，半导体或绝缘体蒸气和金属蒸气聚集成团簇，从而沉积复合团簇于基底35之上。生产出的复合团簇由于高性能在各种领域是有用的，例如高敏感性传感器、高密度磁记录介质、用于医药传输的纳米磁介质、催化剂、选择性透过膜、光磁传感器和低损耗软磁材料。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 具有 半导体 绝缘体 金属 复合 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、生产具有金属和半导体或绝缘体的复合团簇的方法，其包括步骤：溅射至少一个半导体或绝缘体靶以在第一溅射腔室中产生半导体或绝缘体蒸气；独立于第一溅射腔室的操作，同时溅射至少一个金属靶以在第二溅射腔室中产生金属蒸气；将半导体或绝缘体蒸气和金属蒸气作为气体混合物运送进入团簇成长管，其中由所述气体混合物形成复合团簇；以及经过所述团簇成长管注射团簇流至预置于高真空沉积腔室中的基底，从而沉积复合团簇至所述基底上。
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