[发明专利]带有单引线框的H桥有效

专利信息
申请号: 03804241.X 申请日: 2003-01-13
公开(公告)号: CN1636310A 公开(公告)日: 2005-07-06
发明(设计)人: 布鲁诺C·纳得;戴维C·塔姆;马克·帕维尔;格林·康纳 申请(专利权)人: 国际整流器公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H02M7/5387
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 葛强;方挺
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于直流电机(30)的全保护H桥由处在第一导电散热器上并全部位于第一封装之内的两个高端MOSFET和一个控制与逻辑IC以及两个分立的低端MOSFET组成。整个桥由所述IC控制。为每个引脚提供了击穿保护,并通过被外部可充电RC电路编程的低端MOSFET(42、43)的控制而提供了PWM软启动序列。输入到高端MOSFET的输入信号选择操作模式。提供了用于短路电流和过流状态的保护电路。还提供了睡眠模式、制动与非制动控制模式。
搜索关键词: 带有 引线
【主权项】:
1.一种用于驱动电负载的H桥驱动器,所述H桥驱动器包括:第一和第二高端MOSFET以及第一和第二低端MOSFET;每个所述MOSFET具有各自的漏极、源极和控制电极;所述高端MOSFET的漏极和所述低端MOSFET的源极连接到功率输入端;在限定出输出桥端子的第一和第二节点处,所述第一和第二高端MOSFET的源极分别与所述第一和第二低端电极的漏极相连;用于控制所述高端和低端MOSFET的操作的控制IC;所述控制IC具有可连接以接收来自外部桥控制电路的输入控制信号的输入端,并且具有连接到所述高端MOSFET的所述控制电极的输出端;用于支撑所述第一和第二高端MOSFET和所述IC的导电支撑板;封装所述第一和第二高端MOSFET和所述IC的公共绝缘外壳;及从所述外壳伸出的多个连接管脚。
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