[发明专利]带有单引线框的H桥有效
申请号: | 03804241.X | 申请日: | 2003-01-13 |
公开(公告)号: | CN1636310A | 公开(公告)日: | 2005-07-06 |
发明(设计)人: | 布鲁诺C·纳得;戴维C·塔姆;马克·帕维尔;格林·康纳 | 申请(专利权)人: | 国际整流器公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M7/5387 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 葛强;方挺 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于直流电机(30)的全保护H桥由处在第一导电散热器上并全部位于第一封装之内的两个高端MOSFET和一个控制与逻辑IC以及两个分立的低端MOSFET组成。整个桥由所述IC控制。为每个引脚提供了击穿保护,并通过被外部可充电RC电路编程的低端MOSFET(42、43)的控制而提供了PWM软启动序列。输入到高端MOSFET的输入信号选择操作模式。提供了用于短路电流和过流状态的保护电路。还提供了睡眠模式、制动与非制动控制模式。 | ||
搜索关键词: | 带有 引线 | ||
【主权项】:
1.一种用于驱动电负载的H桥驱动器,所述H桥驱动器包括:第一和第二高端MOSFET以及第一和第二低端MOSFET;每个所述MOSFET具有各自的漏极、源极和控制电极;所述高端MOSFET的漏极和所述低端MOSFET的源极连接到功率输入端;在限定出输出桥端子的第一和第二节点处,所述第一和第二高端MOSFET的源极分别与所述第一和第二低端电极的漏极相连;用于控制所述高端和低端MOSFET的操作的控制IC;所述控制IC具有可连接以接收来自外部桥控制电路的输入控制信号的输入端,并且具有连接到所述高端MOSFET的所述控制电极的输出端;用于支撑所述第一和第二高端MOSFET和所述IC的导电支撑板;封装所述第一和第二高端MOSFET和所述IC的公共绝缘外壳;及从所述外壳伸出的多个连接管脚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际整流器公司,未经国际整流器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03804241.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:信标更新机制
- 下一篇:由第一网络的成员访问第二网络上可用业务的方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置