[发明专利]薄膜晶体管和液晶显示器有效
| 申请号： | 03804247.9 | 申请日： | 2003-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN1636162A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 姜明求;金县裁;姜淑映;郑宇席 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管和一种液晶显示器。为了在不增加驱动电路尺寸的情况下使得TFT的电荷迁移率一致，将栅极电极形成为包括沿垂直于晶粒生长方向延伸的至少一部分。根据本发明的薄膜晶体管包括一半导体图案，半导体图案包括含有在绝缘衬底上生长的晶粒的多晶硅薄膜。该半导体图案包括一沟道区以及关于该沟道区相对设置的源区和漏区。一栅极绝缘层覆盖半导体图案。在栅极绝缘层上，形成一包括沿着与晶粒生长方向交叉的方向延伸并与沟道区相重叠的至少一部分的栅极电极。在根据本发明的液晶显示器中，形成数据驱动电路的多个薄膜晶体管包括通过顺序横向固化形成的多晶硅薄膜，各薄膜晶体管的栅极电极的至少一部分沿横跨晶粒生长方向的方向延伸，而且，所述多个薄膜晶体管中至少一个的栅极电极具有不同于其它薄膜晶体管的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液晶显示器 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：一绝缘衬底；一包括含有生长在该绝缘衬底上的晶粒的多晶硅薄膜的半导体图案，该半导体图案包括一沟道区以及关于该沟道区相对设置的源区和漏区；一形成在该半导体图案上的栅极绝缘层；以及一形成在该栅极绝缘层上的栅极电极，该栅极电极与所述沟道区相重叠并且包括在与晶粒生长方向相交的方向上延伸的至少一部分。
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