[发明专利]形成极限尺寸的电连接装置的方法及包含该装置的器件无效
申请号: | 03804333.5 | 申请日: | 2003-02-12 |
公开(公告)号: | CN1636276A | 公开(公告)日: | 2005-07-06 |
发明(设计)人: | W·J·托伦 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;梁永 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及在衬底上形成电连接装置的方法,该方法包括以下步骤:a)在衬底(10)上形成材料中间层(14),b)形成具有至少一个窗口(18)的蚀刻掩模(16),c)根据该掩模蚀刻材料中间层以在其中形成至少一个孔(20),d)用隔离物(22)涂敷该孔的侧壁以使该孔变窄,e)沉积至少一种导体材料(24)以填充变窄了的孔,以及f)进行磨蚀操作以除去孔外面多余的导体材料。本发明用于实现布线线路、接触垫以及通路。 | ||
搜索关键词: | 形成 极限 尺寸 连接 装置 方法 包含 器件 | ||
【主权项】:
1.一种在衬底上形成电连接装置的方法,包括下列步骤:a)在衬底上淀积材料中间层(14)b)在中间层(14)上形成蚀刻掩模(16),所述掩模具有至少一个窗口(18),该窗口的尺寸大于要实现的连接装置的预计尺寸,c)通过掩模的窗口(18)蚀刻材料中间层(14),以在其中形成至少一个具有侧向侧壁的用于容纳连接装置的孔(20),d)使用隔离物(22)涂敷该孔的侧向侧壁以使该孔变窄,e)淀积至少一种导体材料(24)以填充变窄了的孔,以及f)进行磨蚀操作以除去变窄的孔外的多余的导体材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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