[发明专利]具有低导通电阻的高电压功率MOSFET

摘要

提供一种功率MOSFET，该MOSFET包括第一导电类型的衬底(2)。在衬底(2)上淀积也是第一导电类型的外延层(1)。在外延层(1)中设置第一和第二体区(5，6)并限定其间的漂移区。体区具有第二导电类型。在第一和第二体区(5，6)分别设置第一导电类型的第一和第二源区(7，8)。在外延层的漂移区中的体区下面设置多个沟槽。从第一和第二体区朝衬底延伸的沟槽填有薄氧化层和多晶半导体材料，例如，多晶硅，该材料包括第二导电类型的掺杂剂。薄氧化层溶入外延层，掺杂剂从沟槽扩散到邻近沟槽的部分外延层中，多晶半导体材料转变为单晶材料，由此形成使得反向电压在水平方向和垂直方向都增加的p－型掺杂区。

主权项

1、一种形成高电压MOSFET的方法，包括下列步骤：提供第一导电类型的衬底；在衬底上淀积外延层，所述的外延层具有第一导电类型；在外延层中形成一个或多个体区，以限定其间的漂移区，所述的体区具有第二导电类型；在体区中形成第一导电类型的一个或多个源区；以及在外延层的所述漂移区形成一个或多个沟槽，所述的沟槽从体区朝着衬底延伸；在所述沟槽的表面上形成二氧化硅层；在所述沟槽中的二氧化硅上淀积掺有第二导电类型的掺杂剂的多晶硅，以填充所述的沟槽；使至少部分所述的掺杂剂从所述的沟槽扩散到邻近沟槽的部分外延层中；以及再结晶至少部分所述的多晶硅，以形成单晶硅。