[发明专利]产生太赫兹辐射的装置以及半导体元件有效

专利信息
申请号: 03804757.8 申请日: 2003-02-18
公开(公告)号: CN1639929A 公开(公告)日: 2005-07-13
发明(设计)人: 卡尔·安特尔瑞纳;戈特弗里德·施特拉塞尔;尤拉伊·道尔莫;安德烈亚斯·施廷格尔;图安·勒 申请(专利权)人: 费姆托激光产品股份有限公司
主分类号: H01S3/108 分类号: H01S3/108
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;钟强
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 发明涉及一种产生太赫兹(THz)辐射的装置,带有锁模的短脉冲激光器(1),向其输送泵束(3),还带有具有谐振器反射镜(M4)的半导体元件,该元件同时为在撞击的激光脉冲基础上产生THz辐射构成,其中,谐振器反射镜(M4),最好是具有对短脉冲激光器(1)的激光辐射部分透射半导体层(8)的谐振器反射镜,半导体层的吸收端处于短脉冲激光器(1)激光辐射能量的下面,并且可与偏压源连接的电极(9,10)安装在半导体层上面,以便在电场内产生THz辐射并将其辐射。
搜索关键词: 产生 赫兹 辐射 装置 以及 半导体 元件
【主权项】:
1.一种产生太赫兹(THz)辐射的装置,带有锁模的短脉冲激光器,向其输送泵束,还带有具有谐振器反射镜的半导体元件,该半导体元件同时为在撞击的激光脉冲基础上产生THz辐射构成,其特征在于,提供的谐振器反射镜(M4)具有对短脉冲激光器(1)的激光辐射部分透射的半导体层(8),半导体层的吸收端处于短脉冲激光器(1)激光辐射能量的下面,并且可与偏压源连接的电极(9,10)安装在半导体层上,以便在电场内产生THz辐射并将其辐射。
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