[发明专利]产生太赫兹辐射的装置以及半导体元件有效
| 申请号： | 03804757.8 | 申请日： | 2003-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1639929A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·安特尔瑞纳;戈特弗里德·施特拉塞尔;尤拉伊·道尔莫;安德烈亚斯·施廷格尔;图安·勒 | 申请（专利权）人： | 费姆托激光产品股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/108 | 分类号： | H01S3/108 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;钟强 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种产生太赫兹(THz)辐射的装置，带有锁模的短脉冲激光器(1)，向其输送泵束(3)，还带有具有谐振器反射镜(M4)的半导体元件，该元件同时为在撞击的激光脉冲基础上产生THz辐射构成，其中，谐振器反射镜(M4)，最好是具有对短脉冲激光器(1)的激光辐射部分透射半导体层(8)的谐振器反射镜，半导体层的吸收端处于短脉冲激光器(1)激光辐射能量的下面，并且可与偏压源连接的电极(9，10)安装在半导体层上面，以便在电场内产生THz辐射并将其辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 赫兹 辐射 装置 以及 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种产生太赫兹(THz)辐射的装置，带有锁模的短脉冲激光器，向其输送泵束，还带有具有谐振器反射镜的半导体元件，该半导体元件同时为在撞击的激光脉冲基础上产生THz辐射构成，其特征在于，提供的谐振器反射镜(M4)具有对短脉冲激光器(1)的激光辐射部分透射的半导体层(8)，半导体层的吸收端处于短脉冲激光器(1)激光辐射能量的下面，并且可与偏压源连接的电极(9，10)安装在半导体层上，以便在电场内产生THz辐射并将其辐射。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于费姆托激光产品股份有限公司，未经费姆托激光产品股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03804757.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电工设备
- 下一篇：用于耦合xDSL信道的低通滤波设备
