[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片有效
| 申请号： | 03805078.1 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1639393A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 三木久幸;樱井哲朗;奥山峰夫 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造III族氮化物半导体晶体的方法，包括以0至1,000的V/III比提供III族原材料和V族原材料以在热衬底上形成并生长III族氮化物半导体的第一步骤，以及使用III族原材料和氮原材料在衬底上气相生长III族氮化物半导体晶体的第二步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶体 及其 制造 方法 以及 外延 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种制造III族氮化物半导体晶体的方法，包括以0至1,000的V/III比提供III族原材料和V族原材料以在热衬底上形成和生长III族氮化物半导体的第一步骤，以及使用III族原材料和氮原材料在衬底上气相生长III族氮化物半导体晶体的第二步骤。
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