[发明专利]曝光装置和曝光方法有效
| 申请号： | 03805098.6 | 申请日： | 2003-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1639844A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 入江信行 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了高精度形成目标线宽的微细图案，通过调整浓度滤光片(Fj)的对掩模的共轭面(PL1)的散焦量(d)，校正衬底(4)上的浓度滤光片(Fj)的减光部(123)的图像宽度变化。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种曝光装置，以图案为中介，分别对感应物体上周边部局部重叠的多个区域照射光能束，其特征在于，具有设定成所述光能束照射造成的所述周边部上的累积能量为逐渐减小的分布的设定装置、以及校正随所述图案的照明条件改变而产生的所述周边部的宽度变化的校正装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
