[发明专利]改进的发射极关断晶闸管及其驱动电路

摘要

一组发射极关断晶闸管，包括栅极导通(GTO)晶闸管，第一开关(S₁₁－S_1m)，第一开关的漏极和GTO晶闸管的阳极连接，并且第二开关(S₂₁－S_2m)连接在GTO晶闸管的栅极和第一开关的源极之间。该第一开关包括许多并联的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该GTO晶闸管的阳极和该第一开关的源极分别用作发射极关断晶闸管的阳极(ANODE)和阴极(KATHODE1)。该发射极关断晶闸管具有四个控制电极：GTO晶闸管的栅极(GATE1)，第二开关的控制电极(GATE3)，第一开关的栅极(GATE2)，以及GTO晶闸管的阴极(KATHODE2)。

主权项

1.一种发射极关断(ETO)晶闸管，其包括：栅极导通(GTO)晶闸管，其具有阳极，阴极和栅极；第一开关，其包括许多并联的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并具有漏极，源极和栅极，该第一开关的漏极和GTO晶闸管的阴极连接；以及第二开关，其连接在GTO晶闸管的栅极和第一开关的源极之间，所述的第二开关具有一个控制极，GTO晶闸管的阳极和第一开关的源极分别用作ETO晶闸管的阳极和阴极，该ETO晶闸管具有四个控制电极：GTO晶闸管的栅极，第二开关的控制电极，第一开关的栅极，以及GTO晶闸管的阴极。