[发明专利]花纹工艺中的全移相掩模有效
| 申请号： | 03805394.2 | 申请日： | 2003-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1639645A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | C·皮拉特 | 申请（专利权）人： | 数字技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03C5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 全移相掩模(FPSM)有利于在难蚀刻金属的花纹工艺中使用。因FPSM能配用正性光刻胶，故原始布局上的特征可用FPSM布局上的移相器取代。相邻移相器为反相，如0度与180度。在一实施例中，暗场微调掩模可与FPSM联用，该微调掩模包括的切口对应于FPSM上的切口，而FPSM上的切口可解决贴近移相器间的相位冲突。在一场合中，曝光FPSM上两贴近的移相器，微调掩模上的对应切口在金属层内形成一特征。FPSM和/或微调掩模包括进一步改善印刷分辨度的贴近性校正。 | ||
| 搜索关键词： | 花纹 工艺 中的 全移相掩模 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路里形成金属层图案的掩模组，所述掩模组用于花纹工艺，其特征在于，所述掩模组包括：包括多个移相器的全移相掩模(FPSM)，其中移相器代表金属层内的几乎所有特征；和包括至少第一切口的暗场微调掩模，第一切口对应于FPSM上的第二切口，第二切口解决FPSM上的相位冲突。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于数字技术股份有限公司，未经数字技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03805394.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阴极射线管的偏置装置
- 下一篇：具有高级测试模式的半导体存储装置
