[发明专利]场效应晶体管类型发光器件无效
| 申请号： | 03805476.0 | 申请日： | 2003-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1639881A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 川副博司;小林哲;谷由纪;柳田裕昭 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管类型发光器件，该器件能够获得长期使用的可靠性，并且使光发射波长的选择性变宽。该申请的发明是一种场效应晶体管类型发光器件，该器件具有电子注入电极(即源极)、空穴注入电极(即漏极)、设置在源极和漏极之间以便与这两个电极接触的发射有源部件、以及场应用电极(即栅极)，所述栅极用于在发射有源部件中感生电子和空穴，其经由绝缘部件或者绝缘间隙设置在发射有源部件附近。所述发射有源部件由既具有电子转移特性又具有空穴转移特性的无机半导体材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 类型 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管类型发光器件，包括：电子注入电极，即源极；空穴注入电极，即漏极；设置在所述源极和所述漏极之间以便与所述两个电极接触的发射有源部件；以及场应用电极，即栅极，通过绝缘部件或者绝缘间隙设置在所述发射有源部件附近，用于在所述发射有源部件中感生电子和空穴，所述场效应晶体管类型发光器件的特征在于：所述发射有源部件由既具有电子转移特性又具有空穴转移特性的无机半导体材料制成。
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