[发明专利]磁记录介质及其制造方法无效
| 申请号： | 03805664.X | 申请日： | 2003-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1639774A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 村尾玲子;乡家隆志;贝津功刚;菊池晓 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/738 | 分类号： | G11B5/738;G11B5/66;G11B5/851;G11B5/65 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法。该磁记录介质包括：由Co基合金材料构成的强磁性层和配置于强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层和配置于非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层。非磁性结合层由于是在Ar－N2混合气体气氛中通过溅射而形成，所以其中含有氮。在溅射过程中的氮气分压强在6.7×10－3～3.7×10－2Pa的范围之内。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，其特征在于：具有：由Co基合金材料构成的强磁性层；配置在该强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层；和配置在该非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层；所述非磁性结合层中含有氮。
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