[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 03805758.1 | 申请日： | 2003-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1643663A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 大薮淳;輿石公 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以降低处理室内CF系聚合物沉积物堆积的等离子体处理装置。该等离子体蚀刻处理装置(1)包含在内部可定义处理室(2)的直径下部大上部小的处理容器(3)，如果处理室(2)减压到规定的真空环境，向处理室(2)内导入包含CF系气体的处理气体，则处理气体等离子体化，对半导体晶片(34)施以所希望的微细加工。从通过等离子体导致的CF系气体分解成分所生成的CF系聚合物的固体颗粒发生飞散，粘着到内壁(3b)及处理室内部件的表面上，为了防止CF系聚合物沉积物堆积，在等离子体处理容器(3)内壁(3b)的表面上遍及规定面积覆盖Y2O3喷镀覆膜(41)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体处理装置，具有在内部激励等离子体，对被处理物表面进行微细加工的处理容器，和在所述处理容器内部配置的处理室内部件，其特征为，所述处理容器内壁表面及所述处理室内部件表面至少一方表面，遍及规定面积被Y2O3喷镀覆膜所覆盖。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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