[发明专利]等离子体处理方法和老化结束检测方法以及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 03805861.8 | 申请日： | 2003-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1643664A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 高山直树;王斌;原田智 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在现有的分析数据中，作为老化结束的判断基准的变化因老化而发生变化，即难于辨别是基于处理容器内的状态变化而变化，还是基于各个伪晶片间的温度变化而变化，进而难于判断老化是否结束。因此，本发明的等离子体处理方法，向等离子体处理装置(1)的处理容器(2)内提供伪晶片W，检测进行老化时的老化结束。其具有：向处理容器(2)内供给伪晶片W，在冷却处理容器(2)内之后，使用在向处理容器(2)内再次供给多个伪晶片W时得到的多个测量数据，来进行多变量分析，形成预测老化结束的预测式的步骤；基于该预测式，检测进行老化时的老化结束的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 老化 结束 检测 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，对处理装置的处理容器内提供试验用被处理体，检测进行老化时的所述老化的结束，其特征在于，包括：形成预测式的步骤，对所述处理容器内提供所述试验用被处理体，在冷却所述处理容器内之后，使用在对所述处理容器内再次提供多个所述试验用被处理体时得到的多个测量数据，进行多变量分析，形成预测所述老化结束的预测式；基于所述预测式，检测进行所述老化时的老化结束的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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