[发明专利]侦测器装置、电荷载体之侦测方法、及侦测电荷之ONO场效应晶体管之使用有效
| 申请号： | 03806020.5 | 申请日： | 2003-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1643700A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | B·克诺特;G·坦普佩 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明系相关于一侦测器装置(100)，一种电荷载体之侦测方法，以及侦测电荷之ONO场效晶体管的使用。该侦测器装置(100)系具有具体实施于一基板(101)之上及/或之中的一ONO场效晶体管，以用于侦测电荷载体，而使得该等要进行侦测的电荷载体(103)系可以被导入该ONO场效晶体管层顺序(102)之中，一记录单元(104)，其系被耦接至该ONO场效晶体管，以用于记录被导入该ONO层顺序(102)中之该等电荷载体(103)之数量及/或电荷载体型态的一电信号特征，以及一分析单元，以用于自该特征电信号决定出被导入该ONO层顺序(102)中之该等电荷载体(103)之数量及/或电荷载体型态。 | ||
| 搜索关键词： | 侦测 装置 电荷 载体 方法 ono 场效应 晶体管 使用 | ||
【主权项】：
1.一种用于侦测电荷载体的侦测器装置，其系具有：-一ONO场效晶体管，其系形成于一基板之中及/或之上，并且，系以该等待侦测电荷载体可以被导入该ONO层顺序之中的方式而加以建立；-一缓存单元，其系被耦接至该ONO场效晶体管，并且，系以其会暂存被导入该ONO层顺序中之该等电荷载体之数量及/或电荷载体型态的一电信号特征的方式而加以建立；以及-一侦测器单元，其系用于自该特征电信号而侦测出被导入该ONO层顺序中之该等电荷载体之该数量及/或该电荷载体型态。
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