[发明专利]堆叠有绝缘腔的芯片有效
| 申请号： | 03806026.4 | 申请日： | 2003-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1666340A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | J－C·西克斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/00;H01L21/50;H01L23/10;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种将第一硅晶片(WA1)的连接表面与第二硅晶片(WA2)的连接表面连接从而在装配之后形成绝缘腔的方法，两个硅晶片(WA)中至少一个包括至少一个将位于腔内的功能区(DA)。按照本发明的方法包括在第一硅晶片(WA1)的连接表面上淀积合金焊接凸块(PLTC)的步骤(PLTS)，所述凸块(PLTC)彼此间隔开均匀的距离，该距离足够小以在两个硅晶片装配期间接合。在淀积用于电接触的焊接凸块(PLTE)步骤期间进行所述焊接凸块(PLTC)的淀积步骤(PLTS)。该方法包括为了通过熔化合金焊接凸块来装配两个硅晶片的回流焊接步骤(RFX)。应用：保护对外部条件敏感的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 绝缘 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种用于将第一硅晶片的连接表面与第二硅晶片的连接表面连接从而在装配之后形成绝缘腔的方法，两个硅晶片中至少一个包括至少一个将位于腔内的功能区，所述方法的特征在于其包括步骤：-在第一硅晶片的连接表面上淀积合金焊接凸块，所述凸块彼此间隔开均匀的距离，该距离足够小以在两个硅晶片装配期间产生接合，在淀积用于电接触的焊接凸块的步骤期间进行所述焊接凸块的淀积，-为了通过熔化合金焊接凸块来连接两个硅晶片的回流焊接。
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