[发明专利]可寻址内容之记忆单元有效

专利信息
申请号: 03806335.2 申请日: 2003-03-17
公开(公告)号: CN1643617A 公开(公告)日: 2005-07-20
发明(设计)人: J·哈特斯奇;W·坎普;T·科内蒙德;H·塞德拉克;H·塞尔德纳 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: G11C15/04 分类号: G11C15/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明;张志醒
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种可寻址内容记忆单元具有一第一记忆单元(1),其系电连接至一比较器单元(2),该比较器单元(2)系由至少八个晶体管(T1至T13)所构成,且各至少四个晶体管(T1至T4;T9;T10)系配置于一第一电路部分(ST1)内,且至少四晶体管(T5至T8,T11至T13)系配置于一第二电路部分(ST2)内,而各电路部分(ST1,ST2)系具有至少二电路分支。
搜索关键词: 寻址 内容 记忆 单元
【主权项】:
1.一可寻址内容记忆单元,具有:一用于储存数据之第一记忆单元(1),该记忆单元系由两存取晶体管(Z1,Z2)与两反向器(I1,I2)所构成,该等存取晶体管(Z1,Z2)系连接至一第一字符线(WL1),一第一位线对(BLP1,BLQP1),用于自该记忆单元(1)传输数据以及传输数据于该记忆单元(1),该两第一位线(BLP1,BLQP1)系电连接至该第一记忆单元(1),一比较器单元(2),其系电连接至该第一记忆单元(1),以及一调整线(AL),其系电连接至该比较器单元(2),其特征在于:该比较器单元(2)具有一第一电路部分(ST1)与一第二电路部分(ST2),其各具有二电路分支、至少二晶体管(T1至T4;T5至T8)系配置于各该等电路分支中。
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