[发明专利]用于清洗测试探针的设备和方法

摘要

一种用于清洗用来测试半导体晶粒的探针尖端的探针清洗设备，其具有一磨蚀基板层、一在该磨蚀基板层的磨蚀表面的顶部上的粘性凝胶层。通过以下步骤来清洗该探针尖端：使该探针尖端穿过该粘性凝胶层使得其与该磨蚀基板的磨蚀表面相接触，移动该探针尖端横穿该基板层的磨蚀表面，并接着从该清洗设备的连续层移除该探针尖端。该探针尖端自清洗设备露出，其上没有与测试半导体晶粒相关联的碎片。

主权项

1.一种用于清洗一用来测试一半导体晶圆的探针的末端部分的探针清洗设备，其包括：(i)一磨蚀基板层；和(ii)一粘性凝胶层，其中所述粘性凝胶层与该磨蚀基板的该磨蚀表面相接触；所述粘性凝胶层包括：(a)具有式I的聚硅氧基树脂：其中：R₁、R₂、R₃、R₄和R₅独立地选自：氢、C_1-6烷基、C_1-6卤代烷基、乙烯基或C_1-6丙烯氧基烷基，且R₁、R₂、R₃、R₄和R₅中至少一个为乙烯基团；D为选自由以下各基组成的群组中的二价键：-O-、-S-、-(CH₂)_rCH₂-、-(CH₂)_rCH₂O-和-O(CH₂)_rCH₂-，其中r为从0至10的整数；n和m独立地为0至1000的整数，且m和n的总和不小于约10；和(b)选自如下各物的交联化合物：(i)具有式II的化合物：其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、m和n独立地选自以上界定R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、m和n的群，其限制条件为不存在乙烯基；或(ii)具有式III的化合物：其中：R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀和R₁₁独立地选自：氢、C_1-20烷基、C_1-20卤代烷基、苯基或C_1-10烷基苯基；P和q独立地为0到800的整数；且T是选自以下各基组成的群组：单键、-(CH₂)_tCH₂-、-(CH₂)_tCH₂O-或其中：t为0至10的整数；R选自：C_1-20烷基、C_1-20卤代烷基、苯基或C_1-10烷基苯基；且s为从0到800的整数；和(c)催化剂；而且其中：由式I中m和n的值的总和所界定的该聚硅氧基树脂的链长总是大于由式II中的m和n的值的总和或式III中p、q和s的值的总和所界定的该交联化合物的链长。