[发明专利]SiC结晶的制造方法以及SiC结晶有效
| 申请号： | 03806382.4 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1643188A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 镰田功穗;土田秀一 | 申请（专利权）人： | 财团法人电力中央研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及在SiC单晶基片上生长SiC结晶时闭塞中空缺陷的方法和利用该方法制得的结晶，该基片具有CVD法产生的称为微管的中空缺陷；使该基片与将C/Si原子比调整至结晶生长速度为碳原子供给控速的范围内的原料气体接触，使SiC结晶的多层外延生长并积层，使SiC单晶基片的中空缺陷分解到小的伯格斯矢量的位错上，阻碍缺陷延伸到结晶表面。本发明还提供将SiC结晶形成缓冲层，再使用将C/Si之比调整到高于形成缓冲层时的C/Si之比的方向上的原料气体，再积层SiC结晶，制造赋予所需膜质的SiC结晶的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | sic 结晶 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.SiC结晶的制造方法，它是提供载气中含有含碳原子物质和硅原子物质的原料气体给具有称为微管的中空缺陷的SiC单晶基片，在常压或减压下，在1400℃以上的温度下在该基片上外延生长SiC结晶的方法，其特征在于，将上述原料气体中的碳原子和硅原子的原子数之比(C/Si之比)调整到结晶生长速度变为碳原子供给控速的范围内，使SiC结晶的多层外延生长并积层，将存在于上述基片中的中空缺陷分解到多个伯格斯矢量小的不带有中空的位错上，使存在于上述基片中的中空缺陷不延伸到SiC结晶表面。
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