[发明专利]半导体器件的制造方法以及加速度传感器有效
| 申请号： | 03806400.6 | 申请日： | 2003-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1643701A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 奥村美香;堀川牧夫;佐藤公敏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;G01P15/125 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供在形成与半导体衬底例如搭载加速度传感器的硅衬底接触的电极时，降低光致抗蚀剂覆盖的台阶的技术，而且，为了达到上述目的，在形成牺牲层(4)或者半导体膜(50)和固定电极(51)之前，形成用于形成电极(90)的开口(80)，由此不需要厚的光致抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 加速度 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：具备：(a)在设置于半导体衬底(1)上的绝缘层(2)的表面上形成布线(61)的工艺；(b)设置选择性地去除上述绝缘层使上述半导体衬底露出的第1开口(80)的工艺；(c)在上述工艺(b)以后，在上述绝缘层的上方成具有使上述布线的中央部分露出的第2开口(81)和包括上述第1开口并且比该开口宽的第3开口(83)的牺牲层(4)的工艺；(d)在上述工艺(c)中得到的构造的整个面上形成导电性半导体(5)的工艺；(e)在上述导电性半导体上形成第1掩模(301)的工艺；(f)使用上述第1掩模进行上述导电性半导体的腐蚀，形成与上述布线连接的第1电极(51)的工艺；(g)在上述工艺(f)中得到的构造的整个面上形成导电膜(9)的工艺；(h)选择性地去除上述导电膜，在上述第1开口中形成与上述半导体衬底接触的第2电极(90)的工艺；(i)去除上述牺牲层的工艺。
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