[发明专利]钽阻挡层去除溶液有效
申请号: | 03806424.3 | 申请日: | 2003-03-25 |
公开(公告)号: | CN1643660A | 公开(公告)日: | 2005-07-20 |
发明(设计)人: | 卞锦儒 | 申请(专利权)人: | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/321;C09K3/14;C09G1/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 用于去除钽阻挡层材料的化学机械平坦化溶液。该溶液包含0至25重量百分比的氧化剂,0至15重量百分比的非铁金属金属抑制剂和0至20重量百分比该非铁金属的配位剂,0.01至12重量百分比选自甲脒,甲脒盐,甲脒衍生物,胍衍生物,胍盐和它们的混合物的钽去除剂,0至5重量百分比的研磨剂,0至15重量百分比选自聚合物颗粒和聚合物包覆颗粒的全部颗粒,而余量为水。该溶液具有至少3比1的氮化钽相对TEOS的选择性,如使用垂直于晶片的小于20.7kPa的微孔聚氨酯抛光垫板压力所测。 | ||
搜索关键词: | 阻挡 去除 溶液 | ||
【主权项】:
1.用于去除钽阻挡层材料的化学机械平坦化溶液,该溶液包含0至25重量百分比的氧化剂,0至15重量百分比的非铁金属抑制剂,0至20重量百分比该非铁金属的配位剂,0.01至12重量百分比选自甲脒,甲脒盐,甲脒衍生物,胍衍生物,胍盐和它们的混合物的钽去除剂,0至5重量百分比的研磨剂,0至15重量百分比选自聚合物颗粒和聚合物包覆颗粒的全部颗粒,和余量的水,该溶液具有至少3比1的氮化钽相对TEOS的选择性,如使用垂直于晶片测量的小于20.7kPa的微孔聚氨酯抛光垫压力所测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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