[发明专利]使用氧化硅衬垫的离子注入以防止掺杂剂自源极/漏极延伸部向外扩散的方法有效
| 申请号： | 03806763.3 | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1643672A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | A·C·韦;M·B·菲赛利耶;中秉津 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种改善晶体管性能的半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造是通过离子注入(31)将掺杂剂注入氧化物衬垫(30)以防止或充分减少掺杂剂自源极/漏极的浅层延伸部(23)扩散出来。具体实施例包含离子注入P型掺杂剂，例如B或BF2，使用栅极电极(21)作为掩膜，形成源极/漏极的浅层延伸部(23)，沉积共形的氧化物衬垫(30)，并以基本上与源极/漏极的浅层延伸部(23)相同的掺杂剂浓度，通过离子注入(31)将P型杂质注入氧化物衬垫(30)。后续工艺包含沉积间隔层，进行蚀刻形成侧壁间隔(40)，进行离子注入形成深层中等或高浓度的源极/漏极注入物(41)，以及激活退火(activation annealing)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氧化 衬垫 离子 注入 防止 掺杂 延伸 向外 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在衬底(20)上表面上形成具有侧表面的栅极电极(21)，在该衬底(20)与该栅极电极(21)之间有栅极介电层(22)；通过离子注入将掺杂剂注入衬底，并使用栅极电极(21)作为掩膜，形成源极/漏极的浅层延伸部(23)；在该栅极电极(21)的侧表面与该衬底(20)的上表面上形成氧化物衬垫(30)；以及通过离子注入(31)将掺杂剂注入该氧化物衬垫(30)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
