[发明专利]二维光子晶体光复用器/解复用器有效
| 申请号： | 03806872.9 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1643416A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 野田进;望月理光;浅野卓 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光复用器/解复用器，其可以具有较小的尺寸和更高的Q因数或效率。通过以下结构达到该目的。在平板形主体11中，具有低于主体11的材料的折射率的低折射率区12周期地排列，以构造二维光子晶体，其中通过不线性地打孔12形成波导13。通过不在位于波导13邻近的两个或多个格点处打孔，形成施主型簇缺陷14。利用该结构，只有在传播通过波导13的光中包括的特定光波长才在施主型簇缺陷14处共振，且这样俘获的光被释放到外部(解复用)。相反，只有特定的光波长可以通过施主型簇缺陷14被引入波导13中(复用)。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 光子 晶体 光复 解复用器 | ||
【主权项】：
1.一种二维光子晶体光复用器/解复用器，其特征在于包括：a)平板形主体；b)具有不同于主体的折射率的多个改进折射率区，其周期地排列在主体中；c)在构造了改进折射率区的缺陷的主体中线性地形成的波导；以及d)簇缺陷，位于波导附近且由两个或多个彼此相邻的缺陷构成。
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