[发明专利]等离子体处理装置用电极及等离子体处理装置有效

申请号：	03806899.0	申请日：	2003-03-27
公开（公告）号：	CN1643666A	公开（公告）日：	2005-07-20
发明（设计）人：	松岛圭一;铃木隆司;古家元	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/3065	分类号：	H01L21/3065
代理公司：	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳;邸万杰
地址：	日本国***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明的等离子体处理装置用电极(23)包括：支持部件(35)，与保持被处理基板(W)的电极(13)相对向地配置；电极板(36)，安装于支持部件(35)上，具备多个气体排出孔(36A)和与支持部件(35)相对向地开口的螺丝孔(44A)，从气体排出孔(36A)向其与电极(13)之间形成的处理空间内供给处理气体，在上述处理空间内形成等离子体；连接部件(42)，通过从支持部件(35)侧螺合于电极板(36)的螺丝孔(44A)中，将电极板(36)连接在支持部件(35)上。
搜索关键词：	等离子体处理装置用电
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【主权项】：

1.一种等离子体处理装置用电极，其特征在于，包括：支持部件，与保持被处理基板的电极相对向地配置；电极板，安装于所述支持部件上，具备多个气体排出孔和与所述支持部件相对向地开口的螺丝孔，从所述气体排出孔向其与所述电极之间形成的处理空间内供给处理气体，在所述处理空间内形成等离子体；连接部件，通过从所述支持部件侧螺合于所述电极板的所述螺丝孔中，将所述电极板连接在所述支持部件上。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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